特許
J-GLOBAL ID：200903033644680950

プラズマプロセス装置

発明者：
山本 直子

山本 直子 について

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山本 達志

山本 達志 について

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平山 昌樹

平山 昌樹 について

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大見 忠弘

大見 忠弘 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

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大見 忠弘

大見 忠弘 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368508
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170818
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 マイクロ波によるプラズマ励起において、被処理物に対するイオン照射エネルギの調整が容易で、被処理物に対するプラズマ処理が面内にわたって均一なプラズマプロセス装置を提供する。【解決手段】 チャンバ内部13内にマイクロ波を照射するための第2の誘電体5のチャンバ内部13側にはスロットアンテナ板7が配置されている。スロットアンテナ板7は導電体よりなり、かつマイクロ波をチャンバ内部13に通すためのスロット7aを有している。
請求項（抜粋）：
プラズマを用いた処理を行なう処理室と、前記処理室にマイクロ波を導くマイクロ波伝送手段と、前記マイクロ波伝送手段により伝送されたマイクロ波を前記処理室内に放射するための誘電体と、前記誘電体の前記処理室に面する側の面に配置され、かつ前記誘電体から放射されたマイクロ波を通すための開口部を有する導電体のスロットアンテナ板とを備えた、プラズマプロセス装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B
Fターム (29件)：
4K057DA16 ,  4K057DB05 ,  4K057DB06 ,  4K057DB08 ,  4K057DD01 ,  4K057DE08 ,  4K057DE20 ,  4K057DM10 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29 ,  5F004BB32 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F045AA09 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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