特許

J-GLOBAL ID：200903010188094245

金属酸化物トランジスタの製造方法

発明者： 小川 芳孝 ,  高橋 康隆 ,  大矢 豊 ,  伴 隆幸
出願人/特許権者： 株式会社三陽電機製作所
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-057440
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244464
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 金属酸化物半導体を用いてFETを作製する。【解決手段】 Si基板31上にSiO2 膜のゲート絶縁膜32を形成し、Zn(OAc)2 ・4H2 Oをイソプロパノールに懸濁し、これをゲート絶縁膜32上にコーティングした後、加熱処理してZnOからなるチャネル層33を形成し、その上にソース電極34とドレイン電極35を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にゲート絶縁膜を形成し、そのゲート絶縁膜上にn形又はp形金属酸化物半導体薄膜を溶液法で作ってチャネル層を形成し、そのチャネル層上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする金属酸化物トランジスタの製造方法。

Fターム (9件)：

5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25