特許
J-GLOBAL ID：200903059416834962
多層構造およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-231729
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150115
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 改良された二層レジスト系構造を提供する。【解決手段】 蒸着された厚いARC層と、無定形炭素膜をベースとする一つの調整可能な厚い下部層被覆を作製する方法とを開示する。これらの膜は、水素添加,フッ素添加,窒素添加された炭素膜とすることができる。このような膜は、UVおよびDUV波長、特に、365,248、および193nmで、それぞれ約1.4〜約2.1および約0.1〜約0.6の調整可能な屈折率と吸光係数とを有する。これにより、二層レジスト系における厚い下部層として用いるのに極めて有効な膜が作製される。この膜は、UVおよびDUV波長で、レジストと下部層との間の界面での反射がほぼ零とすることができ、よって精密な線幅制御が可能となり、半導体チップの性能を顕著に改善する。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの主面を有する基板と、少なくとも一つの蒸着された反射防止膜とを含む構造。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, C01B 31/00
, C23C 14/06
, H01L 21/027
H01L 21/88 B
, C01B 31/00
, C23C 14/06 F
, H01L 21/30 574
