特許
J-GLOBAL ID：200903010225800759
酸化物積層構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-158521
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330540
出願日： 1995年06月01日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体不揮発性メモリを最適構造で実現可能な酸化物積層構造を提供する。【構成】 Si基板1上に例えばMgAl2 O4 薄膜2を介して例えばSrRuO3 薄膜3を積層した酸化物積層構造を用い、そのSrRuO3 薄膜3上に強誘電体薄膜として例えばBi2 SrTa2 O9 薄膜4およびSrRuO3 薄膜5を積層して強誘電体不揮発性メモリを構成する。SrRuO3 薄膜3およびSrRuO3 薄膜5はそれぞれ下部電極および上部電極を構成する。Si基板1、MgAl2 O4 薄膜2、SrRuO3 薄膜3、Bi2 SrTa2 O9 薄膜4およびSrRuO3 薄膜5は、相互にほぼ格子整合するように面方位を選ぶ。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、上記シリコン基板上の酸化物からなるバッファ層と、上記バッファ層上の導電性酸化物薄膜とを有することを特徴とする酸化物積層構造。
IPC (10件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C30B 29/22
, C30B 29/68
, H01B 3/12 301
, H01L 21/316
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 39/02
H01L 27/10 651
, C30B 29/22 Z
, C30B 29/68
, H01B 3/12 301
, H01L 21/316 M
, H01L 27/10 451
, H01L 39/02 D
, H01L 27/04 C
