特許
J-GLOBAL ID：200903010231501003

金属膜形成方法及び金属パターン形成方法

発明者：
松本 和彦

松本 和彦 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-323442
公開番号（公開出願番号）：特開2007-131875
出願日： 2005年11月08日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を、簡便な方法で形成しうる金属膜形成方法、及び、エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さい金属パターンを簡便な方法で形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。【解決手段】(a1)基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、(a2)ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、(a3)金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が10〜100kΩ/□の導電性層を形成する工程と、(a4)電気めっきにより、表面抵抗率が1×10-1Ω/□以下の導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法等である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(a1)基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、 (a2)前記ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、 (a3)前記金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が10〜100kΩ/□の導電性層を形成する工程と、 (a4)電気めっきにより、表面抵抗率が1×10-1Ω/□以下の導電性層を形成する工程と、 を有することを特徴とする金属膜形成方法。
IPC (8件)：
C23C 18/16 ,  G03F 7/20 ,  H05K 3/18 ,  C23C 18/30 ,  C25D 5/56 ,  C25D 3/38 ,  C25D 21/12 ,  C25D 21/14
FI (9件)：
C23C18/16 Z ,  G03F7/20 501 ,  H05K3/18 B ,  H05K3/18 G ,  C23C18/30 ,  C25D5/56 A ,  C25D3/38 101 ,  C25D21/12 A ,  C25D21/14 A
Fターム (48件)：
2H097LA09 ,  4K022AA12 ,  4K022AA13 ,  4K022AA16 ,  4K022AA17 ,  4K022AA19 ,  4K022AA20 ,  4K022AA21 ,  4K022AA42 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA07 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA09 ,  4K022CA12 ,  4K022CA17 ,  4K022CA19 ,  4K022CA20 ,  4K022DA01 ,  4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023CA09 ,  4K023DA02 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB17 ,  4K024BA12 ,  4K024BB11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA06 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA01 ,  4K024GA16 ,  5E343AA18 ,  5E343BB16 ,  5E343BB24 ,  5E343CC63 ,  5E343DD43 ,  5E343ER18 ,  5E343ER26 ,  5E343GG02 ,  5E343GG06 ,  5E343GG08
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開昭58-196238号公報
審査官引用 (5件)
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