金属化合物薄膜の形成方法およびその形成装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋山敦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050256
公開番号（公開出願番号）：特開2001-234338
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は,金属不完全反応物を含まない金属化合物薄膜の高速形成が可能な金属化合物薄膜の形成方法およびその形成装置を提供することにある。【解決手段】本発明では、複数のスパッタリングターゲット29a,29b、49a,49bに、各ターゲット29a,29b、49a,49bがカソードおよびアノードに交互になると同時に、常にいずれかのターゲットがカソードとなりいずれかのターゲットがアノードとなるように交流電圧を印加し、不活性ガスと反応性ガスを導入して、真空槽11内の成膜プロセスゾーン20,40で、基板上に金属不完全反応物超薄膜を形成する工程と、真空槽11内の反応プロセスゾーン60で、金属不完全反応物超薄膜を電気的に中性な反応性ガスの活性種により金属化合物超薄膜に変換させる工程と、これらの2つの工程を順次繰り返し行う工程を行う。

請求項（抜粋）：

接地電位から電気的に絶縁された複数のスパッタリングターゲットに、各ターゲットがカソードおよびアノードに交互になると同時に常にいずれかのターゲットがカソードとなりいずれかのターゲットがアノードとなるように、交流電圧を印加し、不活性ガスおよび反応性ガスを導入して、真空槽内の成膜プロセスゾーンで、基板上に金属の不完全反応物からなる金属不完全反応物超薄膜を形成する工程と、前記真空槽内の前記成膜プロセスゾーンと空間的,圧力的に分離された反応プロセスゾーンで、前記金属不完全反応物超薄膜に電気的に中性な反応性ガスの活性種を接触させ、前記金属不完全反応物超薄膜と前記反応性ガスの活性種とを反応させて金属化合物超薄膜に変換させる工程と、前記金属不完全反応物超薄膜を形成する工程と前記金属化合物超薄膜に変換させる工程とを順次繰り返し行う工程と、により、前記金属化合物超薄膜を複数層形成して堆積して、目的とする膜厚の前記金属化合物薄膜を基板上に形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , C23C 14/08 , C23C 14/35 , H01L 21/203

FI (5件)：

C23C 14/34 S , C23C 14/34 C , C23C 14/08 N , C23C 14/35 Z , H01L 21/203 S

Fターム (27件)：

4K029AA24 , 4K029BA17 , 4K029BA35 , 4K029BA43 , 4K029BA46 , 4K029BA48 , 4K029BB02 , 4K029BC07 , 4K029CA05 , 4K029DA10 , 4K029DC05 , 4K029DC16 , 4K029DC28 , 4K029DC29 , 4K029DC31 , 4K029DC39 , 4K029DC43 , 4K029DC48 , 4K029JA08 , 5F103AA08 , 5F103BB46 , 5F103DD27 , 5F103DD28 , 5F103NN06 , 5F103RR01 , 5F103RR04 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (3件)

金属化合物薄膜の形成方法および成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-101976 出願人：株式会社シンクロン
金属化合物薄膜の形成方法および成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-073166 出願人：株式会社シンクロン
特開平4-017673

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