金属化合物薄膜の形成方法および成膜装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：臼村文男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-101976
公開番号（公開出願番号）：特開平11-279758
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】特性の安定した金属化合物薄膜を、薄膜にダメージを与えることを防止して、低温基板温度で高速に形成する。【解決手段】接地電位から電気的に絶縁された一対の同種または異種のマグネトロンスパッタリングターゲットを用い、それぞれのターゲットに接地電位からプラスとマイナスに交互に交流電圧を印加することにより、常にいずれか一方のターゲットがカソードとなり他方のターゲットがアノードとなるようにし、真空槽内で基板上に金属ないし金属の不完全反応物からなる金属超薄膜を形成する工程と;この金属超薄膜に電気的に中性な反応性ガスの活性種を接触せしめ、金属超薄膜と反応性ガスの活性種とを反応せしめて金属化合物超薄膜に変換せしめる工程とを順次繰り返し;金属化合物超薄膜を複数層形成して堆積することにより、目的とする膜厚の金属化合物薄膜を基板上に形成して金属化合物薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

接地電位から電気的に絶縁された一対の同種または異種のマグネトロンスパッタリングターゲットを用い、それぞれのターゲットに接地電位からプラスとマイナスに交互に交流電圧を印加することにより、常にいずれか一方のターゲットがカソードとなり他方のターゲットがアノードとなるようにし、真空槽内で基板上に金属ないし金属の不完全反応物からなる金属超薄膜を形成する工程と、この金属超薄膜に電気的に中性な反応性ガスの活性種を接触せしめ、金属超薄膜と反応性ガスの活性種とを反応せしめて金属化合物超薄膜に変換せしめる工程とを順次繰り返し、金属化合物超薄膜を複数層形成して堆積することにより、目的とする膜厚の金属化合物薄膜を基板上に形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203

FI (2件)：

C23C 14/34 S , H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-096108 出願人：株式会社シンクロン
特開平3-223458
スパツタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336097 出願人：旭硝子株式会社

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