特許
J-GLOBAL ID：200903010245949120
配線構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070957
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260446
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、バリア性に優れた反応防止層を形成するとともに、半導体基板と反応防止層とのオーミック特性の向上を図る。【構成】 半導体基板11上に反応防止層18を形成し、それを介して半導体基板11に接続する配線23を形成する配線構造の製造方法であって、反応防止層18を成膜中に、その成膜を一旦停止してから、再度その成膜を行って、成膜を一旦停止する前に形成した第1の反応防止層16の表面に、成膜を再開してから形成した第2の反応防止層17を成膜する。また反応防止層18を成膜した後に、酸素を含む雰囲気で熱処理を行う。その温度は、例えば400°C以上600°C以下に設定する。この熱処理は、第1の反応防止層16を形成した後、または第2の反応防止層17を形成した後、または第1反応防止層16を形成した後と第2の反応防止層17を形成した後とに行ってもよい。
請求項（抜粋）：
半導体基板に反応防止層を形成した後、当該反応防止層を介して当該半導体基板に接続される配線を形成する配線構造の製造方法において、前記反応防止層の成膜では、当該反応防止層の成膜中に、その成膜を一旦停止してから、再度その成膜を行って、当該成膜を一旦停止する前に形成した第1の反応防止層の表面に、成膜を再開してから形成した第2の反応防止層を成膜することを特徴とする配線構造の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
