特許
J-GLOBAL ID：200903010249382303
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148123
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335607
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 半球状シリコン結晶粒を有するスタックトキャパシタ構造を有するDRAMの半球状シリコン結晶粒の形成不良を防ぎ、なお且つ半球状シリコン結晶粒への不純物導入を充分に行い、空乏化による容量低下を防ぐ手段の提供。【解決手段】 MOSトランジスタが作り込まれた半導体基板に第1のシリコン膜を形成し、所望の形状に加工し、第1のシリコン膜の表面に自然酸化膜を形成し、続いて不純物を含む第2のシリコン膜と不純物を含まない第3のシリコン膜を形成し、さらに大気に暴露することなく引き続きアニールすることにより、半球状シリコン結晶粒を形成する。その後エッチバックにより電極間を分離し、これを蓄積電極とし、次いで誘電体膜とプレート電極を形成しキャパシタとする。
請求項（抜粋）：
上部電極、誘電体膜、下部電極からなるキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、前記下部電極の形成方法が、半導体基板の一主面上に不純物が添加された第1のシリコン膜を減圧化学気相成長法により非晶質または多結晶質に形成する工程、前記第1のシリコン膜を所望の形状に加工する工程、該第1のシリコン膜の表面に自然酸化膜を形成する工程、減圧化学気相成長法により不純物を添加した第2のシリコン膜を非晶質に全面に形成する工程、引き続き大気に暴露することなく減圧化学気相成長法により不純物を添加しない第3のシリコン膜を非晶質に全面に形成する工程、引き続き大気に暴露することなく非酸化性の雰囲気中でアニールし第3のシリコン膜を結晶化させ半球状シリコン結晶粒を全面に形成する工程、異方性のエッチングによりエッチバックを行う工程、の各工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/04 C
