特許
J-GLOBAL ID：200903010252438433

分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
河村 浩充

河村 浩充 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214338
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064456
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、簡単な手段に依って、結合定数κが後端面から前端面に向かって大きくなる回折格子を形成し、共振器方向の光強度分布を平坦化してI-L特性の直線性を良好にしようとする。【解決手段】 レーザ・ストライプに沿い且つレーザ・ストライプの出力端面側から反対端面側に向かって厚さが減少変化するように形成されて共振器として作用するInGaAsP回折格子層13に於ける回折格子を備える。
請求項（抜粋）：
レーザ・ストライプに沿い且つレーザ・ストライプの出力端面側から反対端面側に向かって厚さが減少変化するように形成されて共振器をなす回折格子を備えてなることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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