特許
J-GLOBAL ID:200903010274610906
窒化ケイ素質焼結体とその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-258568
公開番号(公開出願番号):特開2002-068843
出願日: 2000年08月29日
公開日(公表日): 2002年03月08日
要約:
【要約】【課題】 高温において高い強度と優れた耐酸化性を併せ持つ窒化ケイ素質焼結体を提供する。【解決手段】 粒界相をLu4Si2O7N2の結晶相の実質的に単相とし、組成が、Si3N4-SiO2-Lu2O3三元系の状態図上で、A点:Si3N4、B点:28mol%SiO2-72mol%Lu2O3、及びC点:16mol%SiO2-84mol%Lu2O3の3点を頂点をする三角形ABCの周囲又は内部の組成とする。
請求項(抜粋):
窒化ケイ素粒子と粒界相とから構成される窒化ケイ素質焼結体であり、粒界相が、Lu4Si2O7N2の結晶相の実質的に単相からなり、窒化ケイ素質焼結体の組成が、Si3N4-SiO2-Lu2O3三元系の状態図上で、A点:Si3N4、B点:28mol%SiO2-72mol%Lu2O3、及びC点:16mol%SiO2-84mol%Lu2O3の3点を頂点をする三角形ABCの周囲又は内部の組成であることを特徴とする窒化ケイ素質焼結体。
Fターム (15件):
4G001BA08
, 4G001BA32
, 4G001BA62
, 4G001BA71
, 4G001BA73
, 4G001BB08
, 4G001BB32
, 4G001BB71
, 4G001BB73
, 4G001BC42
, 4G001BC48
, 4G001BC54
, 4G001BC55
, 4G001BC57
, 4G001BE26
引用特許:
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