特許
J-GLOBAL ID:200903010292683449

電界放出素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 脇 篤夫 (外1名) ,  脇 篤夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-064360
公開番号(公開出願番号):特開平7-249368
出願日: 1994年03月09日
公開日(公表日): 1995年09月26日
要約:
【要約】【目的】 エミッタ材料の選択性、製造精度の保持、再現性や均一性の保持。【構成】 カソード層を形成するシリコン基板上、又はガラス基板状に形成されたカソード層に、マスク層を形成しストライプ状にパターニングを行なう工程と、パターニングされたマスク層をマスクとしてカソード層をクサビ状に加工しその表面に熱酸化膜又は陽極酸化膜を成膜する工程と、酸化膜の上面側に絶縁層、制御電極層、及び保護層を形成する工程と、エミッタの上方となるマスク層、保護層、及び酸化膜を除去しストライプ形状のエミッタを形成する工程と、ストライプ形状のエミッタを櫛状に加工し屋根型形状のエミッタとする工程とが行なわれてFECが製造されるようにする。
請求項(抜粋):
シリコン基板によるカソードの一部エッチングにより形成された少なくとも1つ以上の屋根型エミッタと該屋根型エミッタに対応する制御電極を有し、制御電極への印加電圧に応じて電界放出がなされるように構成されたことを特徴とする電界放出素子。
IPC (2件):
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 電子放出素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-170843   出願人:株式会社島津製作所
  • 電界放出素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-071219   出願人:工業技術院長, 双葉電子工業株式会社
  • 特開昭51-050648
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