高密度プラズマ化学気相蒸着装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-320135
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245533
出願日： 2005年11月02日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】ガス供給ノズルからウエハー上の反応領域に供給される工程ガスの分布を均一にすることで、所望の加工工程を均一に行える高密度プラズマ化学気相蒸着装置を提供する。【解決手段】チャンバー本体11及びチャンバーカバー12を備えた工程チャンバー10と、該工程チャンバー10の内部に工程ガスを供給するために前記工程チャンバー10の上部に設けられる上部ガス供給ノズル40と、を含み、前記上部ガス供給ノズル40は、水平方向に形成された板状の水平部42を有するノズル本体41と、該ノズル本体41に沿って垂直方向に形成されるガス供給流路44と、前記水平部42の下面に付着されて流路を形成するノズルカバー50と、前記流路に連通するとともに、前記工程チャンバー10内の半導体基板W側に均一に工程ガスを供給するために前記ノズルカバー50に形成される複数のガス流入口60と、を含んで高密度プラズマ化学気相蒸着装置を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバー本体及びチャンバーカバーを備えた工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に工程ガスを供給するために前記工程チャンバーの上部に設けられる上部ガス供給ノズルと、を含み、前記上部ガス供給ノズルは、水平方向に形成された板状の水平部を有するノズル本体と、前記ノズル本体に沿って垂直方向に形成されるガス供給流路と、前記水平部の下面に付着されて流路を形成するノズルカバーと、前記流路に連通するとともに、前記工程チャンバー内の半導体基板側に均一に工程ガスを供給するために前記ノズルカバーに形成される複数のガス流入口と、を含むことを特徴とする高密度プラズマ化学気相蒸着装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L21/31 C , C23C16/455 , H01L21/302 101C

Fターム (21件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA04 , 4K030EA05 , 4K030FA04 , 4K030KA45 , 4K030LA15 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AF01 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF02

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許6,486,081号明細書

審査官引用 (5件)

特開昭61-087319
表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-339912 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板プロセス・チャンバ内のガスの流れを導く方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-239506 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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