窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 岡本芳明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-512346
公開番号（公開出願番号）：特表2008-546175
出願日： 2006年05月09日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

基板;基板表面に堆積されアルミニウム/反応性窒化物(Al/N)流束の比1未満を有する第1の窒化アルミニウム(AlN)層;及び第1のAlN層表面に堆積され1より大きいAl/反応性N流束の比を有する第2のAlN層を含む半導体構造。基板はシリコンの化合物であり、ここで、第1のAlN層は、シリコンを実質的に含まない。

請求項（抜粋）：

基板と; 前記基板表面に堆積されAl/反応性N流束の比1未満を有する第1のAlN層と; 前記第1のAlN層表面に堆積され1より大きいAl/反応性N流束の比を有する第2のAlN層と;を含む半導体構造。

IPC (4件)：

H01L 21/203 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L21/203 M , H01L29/80 H

Fターム (24件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GQ02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F103AA04 , 5F103BB05 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103LL20 , 5F103NN03 , 5F103NN05 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (1件)

III族窒化物膜の製造方法及びエピタキシャル基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-005893 出願人：日本碍子株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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