特許

J-GLOBAL ID：200903010323540498

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松能 正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243973
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321547
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 Si-F基を含む絶縁膜とチタン系金属配線層を含む半導体装置のチタン系金属配線層と絶縁膜との界面において、配線膜の剥がれが生じない信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板と、この基板の上部に形成されたSi-F結合基150を含有する絶縁膜15と、この絶縁膜上に形成されたチタン系金属配線層17を有し、前記チタン系金属配線層における弗素濃度が、1×1020atoms/cm3未満であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板の上部に形成されたSi-F結合基を含有する絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されたチタン系金属配線層を有し、前記チタン系金属配線層における弗素濃度が、1×1020atoms/cm3 未満であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-319549   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-247820   出願人：株式会社東芝