特許
J-GLOBAL ID:200903010383046093

光電変換素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-141050
公開番号(公開出願番号):特開2003-332599
出願日: 2002年05月16日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 フェロセン誘導体よりなるミセル化剤を用いたミセル電解法により、p型及びn型の有機半導体を積層し、製造が容易で高効率な光電変換素子を提供する。【解決手段】n型の有機半導体微粒子をフェロセン誘導体を用いて水性媒体中に分散させミセル溶液を作成する。p型も同様に分散させミセル溶液を作成する。電解又は光照射によりミセル電解反応を誘起させて、導電体基板上に、p型、n型の有機半導体層を順次、薄膜化・積層する。このようなミセル電解法を採用することによって、理想的なp/n接合界面プロファイル、すなわち、傾斜接合の構造を有する光電変換素子を製造できる。このような傾斜接合によって、光電変換素子の光電変換効率を向上させることができる。
請求項(抜粋):
p型有機半導体層とn型有機半導体層とを積層して成る光電変換素子において、前記p型有機半導体層と前記n型有機半導体層とが、p型有機半導体層とn型有機半導体層の界面において傾斜接合していることを特徴とする光電変換素子。
Fターム (6件):
5F051AA11 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • 特開平4-000770
  • 特開平1-261873
  • 光応答性装置
    公報種別:公表公報   出願番号:特願平8-516716   出願人:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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