エッチング剤

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338701
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177998
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、レジストパターンに与える影響を抑制し、かつ、絶縁膜を高速でエッチング可能なエッチング処理剤を提供することを目的とする。【解決手段】レジストをマスクとして基板上に形成された絶縁膜をエッチング処理するためのエッチング剤であって、フッ酸を8〜19重量%とフッ化アンモニウムを12〜42重量%とを含有し、水素イオン濃度が10-6.0〜10-1.8mol/Lであることを特徴とする。また、レジストをマスクとして基板上に形成されたシリコン酸化膜をエッチング処理するためのエッチング剤であって、前記シリコン酸化膜のエッチング速度が200nm/分以上で、かつ、前記レジストの膜減り量が50nm/分以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

レジストをマスクとして基板上に形成された絶縁膜をエッチング処理するためのエッチング剤であって、フッ酸を8〜19重量%とフッ化アンモニウムを12〜42重量%とを含有し、水素イオン濃度が10-6.0〜10-1.8mol/Lであることを特徴とするエッチング処理剤。

IPC (2件)：

H01L 21/308 , C23F 1/24

FI (2件)：

H01L 21/308 E , C23F 1/24

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-009638
特開昭63-283028
特開昭61-266581

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