特許
J-GLOBAL ID：200903010452885507

熱処理装置とその設計方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

発明者：
重岡 隆

重岡 隆 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304098
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110585
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハに対して精度の高い熱処理を施すことができる熱処理装置とその設計方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。【解決手段】 ウェーハ30の表面に光を照射して加熱するハロゲンランプ16と、ウェーハ30を担持するガードリング21と、ウェーハ30の裏面から放射される光を検出することによって、ハロゲンランプ16により加熱されたウェーハ30の温度を測定する放射温度計19とを含む熱処理装置であって、ウェーハ30とガードリング21との間に形成される隙間を介して石英ロッド29に入射する光の入射率を計算したとき、算出される入射率が所定値以下となるように設計されたガードリング21を備えたことを特徴とする熱処理装置1を提供する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に光を照射して前記半導体基板を加熱する加熱手段と、前記半導体基板を前記加熱手段により加熱する間において前記半導体基板を担持する基板担持手段と、前記半導体基板の裏面から放射される光を検出することによって、前記加熱手段により加熱された前記半導体基板の温度を測定する温度測定手段とを含む熱処理装置であって、前記半導体基板と前記基板担持手段との間に形成される隙間を介して前記温度測定手段に入射する光の入射率を計算したとき、算出された前記入射率が所定値以下となるように設計された前記基板担持手段を備えたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/26 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/26 T ,  H01L 21/26 G
Fターム (3件)：
5F045EK12 ,  5F045EM02 ,  5F045GB05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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