特許
J-GLOBAL ID：200903010469325777

酸窒化物半導体

発明者：
板垣 奈穂

板垣 奈穂 について

, 
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について

, 
渡邉 壮俊

渡邉 壮俊 について

, 
田 透

田 透 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-115730
公開番号（公開出願番号）：特開2009-275236
出願日： 2008年04月25日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】 高移動度と対環境安定性を兼ね揃えた半導体および半導体素子を提供する。また可視光領域に受光感度を有する半導体および半導体素子を提供する。【解決手段】 金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がIn、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W、Alから選択される少なくとも1つの元素と、Znと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のN/(N+O)で表されるNの原子組成比率が、7原子%以上80原子%以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。【選択図】 図29
請求項（抜粋）：
金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がIn、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W、Alから選択される少なくとも1つの元素と、Znと、を含み、 且つ、前記酸窒化物中のN/(N+O)で表されるNの原子組成比率が、7原子%以上100原子%未満であることを特徴とする酸窒化物半導体。
IPC (4件)：
C23C 14/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10 ,  H01L 29/26
FI (4件)：
C23C14/06 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L31/10 A ,  H01L29/26
Fターム (73件)：
4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA58 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  5F049MB01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA11 ,  5F049PA07 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F051AA07 ,  5F051AA10 ,  5F051CB15 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F103RR08 ,  5F103RR10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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