酸窒化物半導体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西山恵三 , 内尾裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-115730
公開番号（公開出願番号）：特開2009-275236
出願日： 2008年04月25日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】高移動度と対環境安定性を兼ね揃えた半導体および半導体素子を提供する。また可視光領域に受光感度を有する半導体および半導体素子を提供する。【解決手段】金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がIn、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W、Alから選択される少なくとも1つの元素と、Znと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のN/(N+O)で表されるNの原子組成比率が、7原子%以上80原子%以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。【選択図】図29

請求項（抜粋）：

金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がIn、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W、Alから選択される少なくとも1つの元素と、Znと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のN/(N+O)で表されるNの原子組成比率が、7原子%以上100原子%未満であることを特徴とする酸窒化物半導体。

IPC (4件)：

C23C 14/06 , H01L 29/786 , H01L 31/10 , H01L 29/26

FI (4件)：

C23C14/06 A , H01L29/78 618B , H01L31/10 A , H01L29/26

Fターム (73件)：

4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BA58 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC16 , 4K029DC35 , 5F049MB01 , 5F049NA03 , 5F049NA11 , 5F049PA07 , 5F049SS01 , 5F049SS03 , 5F051AA07 , 5F051AA10 , 5F051CB15 , 5F051GA03 , 5F051GA04 , 5F103AA08 , 5F103BB08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103GG03 , 5F103HH01 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN01 , 5F103NN04 , 5F103NN05 , 5F103PP03 , 5F103RR05 , 5F103RR08 , 5F103RR10 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-264885 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (3件)

特開昭62-123346
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
窒化物及び酸窒化物の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-248745 出願人：国立大学法人新潟大学

引用文献：

審査官引用 (2件)

Crystal Structure Analysis of (Ga0.93Zn0.07)(N0.90O0.10) Oxynitride Photocatalyst
Oxygen ionosorption on compressed semiconducting powders of zinc and germanium oxynitrides

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