特許

J-GLOBAL ID：200903010487035700

半導体記憶装置

発明者： 柴田 友之 ,  大石 貫時
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032788
公開番号（公開出願番号）：特開2000-231788
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 リードレイテンシーに合わせ、ライトレイテンシーの設定を可変とすることで、システムバスの効率を向上できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 2バンク構成による256MbSDRAMであって、ライトレイテンシーの設定を可変とする入力レジスタが設けられ、CASレイテンシーに応じ、予め設定された制御信号により、ライト用の外部データに基づいて生成された複数種の遅延されたデータから1つを選択し、所定のレイテンシーの内部データとして出力することで、連続したライト動作-リード動作-ライト動作のオペレーションにおいては、ライトレイテンシー=リードレイテンシー=2であるため、ライト動作-リード動作時においても入出力データI/Oiのバス上に空き時間は発生せず、またリード動作-ライト動作では、バーストリード途中での中断、ハイインピーダンスコントロールはなされる必要がない。

請求項（抜粋）：

複数種のライトレイテンシーの設定を可能とするライト用のレジスタと、複数種のリードレイテンシーの設定を可能とするリード用のレジスタとを有し、リードレイテンシーに合わせてライトレイテンシーを設定することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 362 H

Fターム (4件)：

5B024AA15 ,  5B024BA21 ,  5B024BA25 ,  5B024CA16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 書込待ち時間制御機能を有する同期式メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-044668   出願人：三星電子株式会社
• クロック同期型の半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-050145   出願人：三菱電機株式会社