特許

J-GLOBAL ID：200903010527113351

パワー半導体装置

発明者： 小池 義彦 ,  清水 英雄 ,  九嶋 忠雄 ,  薗部 幸男 ,  田中 明 ,  井上 広一 ,  斉藤 隆一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275841
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125856
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】並列動作させる半導体素子数が多いモジュールにおいて、モジュールの低インダクタンス化を達成すること。【解決手段】モジュール内部で構成する絶縁基板上に偶数の半導体素子を配置し、さらに、偶数の絶縁基板を並列動作させるIGBTユニットを構成し、各ユニットに対応してモジュール外部端子を配置してモジュール外部で並列動作させる。【効果】本発明によれば各素子間のインダクタンスが低減されるので高速でのスイッチングが可能となり、短絡耐量も向上する。

請求項（抜粋）：

底面が金属基板、側面及び上面が有機樹脂で構成され、内部に複数個の半導体素子を搭載し、前記底面の金属基板上とモジュール内部に搭載する半導体素子との間に複数枚の絶縁基板を配置した内部絶縁型のパワー半導体装置において、偶数個の半導体素子を1枚の絶縁基板上に配置し並列動作させ、かつ偶数の絶縁基板をモジュール内で並列動作させる回路ユニットを構成し、各ユニットに対応したモジュール外部端子を配置し、前記モジュール外部端子をモジュール外部で接続することによりモジュール全体の回路を並列動作させることを特徴としたパワー半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体電流制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-243654   出願人：株式会社日立製作所
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214016   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• モジュール型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-004669   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
• 直列多重電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-048091   出願人：株式会社日立製作所, 日立水戸エンジニアリング株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体電流制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-243654   出願人：株式会社日立製作所
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214016   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• モジュール型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-004669   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング