特許
J-GLOBAL ID：200903010538462226

CVD装置および薄膜製造方法

発明者：
塩見 弘

塩見 弘 について


出願人/特許権者：
株式会社シクスオン

株式会社シクスオン について

, 
関西電力株式会社

関西電力株式会社 について

, 
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について

, 
三菱商事株式会社

三菱商事株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-048887
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252176
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】 基板上に均一な薄膜を形成することが可能なCVD装置およびこれを用いた薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 基板14上への薄膜の堆積を行った後のガスが発熱体13から遠ざかる際に、外管10によってガスが内管11の外側に水平以下の方向に導かれ、発熱体13から遠ざかることにより冷却され密度が上昇するガスが内管11内に逆流せず、発熱体13近傍での自然対流によるガス流の乱れが抑制され基板14面に平行な流れが形成されるので、基板14への均一なガスの供給が可能になる。
請求項（抜粋）：
ガスを基板上に輸送して反応させ前記基板上に薄膜を堆積させるCVD装置であって、前記ガスが下方から導入される内管と、前記内管の内側に設置され前記基板を加熱する発熱体と、前記発熱体の上方に設置され、前記発熱体を通り過ぎたガスの上向流を前記内管の外側に水平以下の方向に導いて排出させ、前記基板に対しては前記基板の表面に平行なガスの流れを形成可能とする第1整流手段と、を備えることを特徴とする、CVD装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
Fターム (27件)：
4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA05 ,  4K030KA12 ,  4K030KA24 ,  5F045AB06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB01 ,  5F045DA53 ,  5F045DQ04 ,  5F045EB13 ,  5F045EB15 ,  5F045EC02 ,  5F045EC09 ,  5F045EE12 ,  5F045EE20 ,  5F045EF13 ,  5F045EK01 ,  5F045EK02 ,  5F045EK07 ,  5F045EK24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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