スパッタリング装置及びスパッタリング方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-120708
公開番号（公開出願番号）：特開2008-274366
出願日： 2007年05月01日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】反応性スパッタリングにより所定の薄膜を形成する際に、処理基板全面に亘って膜厚分布や比抵抗値などの膜質を略均一にできるようにする。【解決手段】真空チャンバ11内のスパッタ室に、所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット31a乃至31dと、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源E1、E2と、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段6a、6bとを設ける。反応ガスを導入するガス導入手段6bは、各ターゲットの並設方向に延びる少なくとも1本のガス管61bを有し、このガス管は、並設した各ターゲットの背面側で各ターゲットから離間させて配置されると共に、ターゲットに向かって反応ガスを噴射する噴射口610を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

スパッタ室内に所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲットと、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源と、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段とを備え、前記反応ガスをスパッタ室に導入するガス導入手段は、各ターゲットの並設方向に延びる少なくとも1本のガス管を有し、このガス管は、並設した各ターゲットの背面側で各ターゲットから離間させて配置されると共に、ターゲットに向かって反応ガスを噴射する噴射口を有することを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (1件)：

C23C 14/34

FI (1件)：

C23C14/34 M

Fターム (10件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029CA06 , 4K029DA06 , 4K029DC01 , 4K029DC16 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029DC46

引用特許：

出願人引用 (4件)

スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-040668 出願人：株式会社アルバック
マグネトロンスパッタ供給源
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-316819 出願人：ユナキス・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト
陰極スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-329301 出願人：ライボルトアクチエンゲゼルシヤフト

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