特許
J-GLOBAL ID:200903010595564825
CMOSイメージセンサのための、小サイズ、高利得及び低ノイズのピクセル
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-330695
公開番号(公開出願番号):特開2008-160133
出願日: 2007年12月21日
公開日(公表日): 2008年07月10日
要約:
【課題】固体CMOSイメージセンサに関し、更に具体的には、1つのピクセルに2つのロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び1つ又は2つのカラムラインを有するCMOSイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。【解決手段】ピクセルは、アドレッシングトランジスタを有さず、感知トランジスタとリセットトランジスタは、何れもpチャネル型MOSトランジスタである。結果的に、このような構造は、極めて低いノイズ動作をもたらす。そして、この新たなピクセル構造は、標準CDS信号処理動作を許容し、ピクセル-ピクセルの不均一性を減少させて、kTCリセットノイズを最小化する。ピクセルは、高感度、高い変換利得、高い応答均一性及び低ノイズを有し、これは効率的な3Tピクセルレイアウトによって可能になる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
ピンフォトダイオード(pinned photodiode)と、
伝送制御信号によって前記ピンフォトダイオードに集積された電荷を伝送するための伝送手段と、
該伝送手段を介して電荷を受けるフローティング拡散と、
リセット制御信号によって前記フローティング拡散をリセットする第1のp型MOSトランジスタと、
前記フローティング拡散の電荷に応じてピクセル出力信号を提供するための第2のp型MOSトランジスタと
を備えることを特徴とするCMOSイメージセンサピクセル。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 P
Fターム (16件):
4M118AA01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA20
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA33
, 5C024AX01
, 5C024CX06
, 5C024GX03
, 5C024GX15
, 5C024GY38
, 5C024GY39
, 5C024HX02
, 5C024HX47
, 5C024JX41
引用特許:
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