特許
J-GLOBAL ID：200903010603709650
表面処理方法および表面処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144862
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074145
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 フロロカーボン系ガスを用いた半導体プロセスにおけるエッチングの選択性を向上する。【構成】 本発明の特徴は、基板に入射するエネルギーを、窒化シリコン膜上でエッチングから堆積に移行するエネルギー値に制御し、(CF2 )n + を主成分とするイオンを基板上に導くことによって、窒化シリコン膜に対して選択的に酸化シリコン膜をエッチングすることにある。
請求項（抜粋）：
フロロカーボン系ガスを用いて、半導体基板表面の加工処理を行う表面処理方法において、前記フロロカーボン系ガスを含むガスを供給するガス供給工程と、前記フロロカーボン系ガスの励起によりイオンを生成し、前記イオンのうち(CF2 )n + (n=1,2,3......)を主成分とするイオンを、前記半導体基板上に導くように制御し、シリコン窒化膜に対して選択的にシリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする表面処理方法。
引用特許：
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