半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-130232
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335612
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 LSI製造において、高選択比、高精度のエッチングを実現する。【構成】半導体基板上の薄膜をドライエッチングするに際し、プラズマ中で準安定状態に励起させた不活性ガスと、フロン系ガスとを相互作用させて所望の解離種を選択的に得ることにより、反応ガスの解離種の組成制御を精密に行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の薄膜をドライエッチングするに際し、プラズマ中で準安定状態に励起させた不活性ガスと、前記薄膜のドライエッチングに必要な反応ガスとを相互作用させて所望の解離種を選択的に得ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (17件)

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