特許

J-GLOBAL ID：200903010626643664

半導体膜の成長方法およびこの半導体膜を備えた半導体素子

発明者： 高橋 幸司 ,  川崎 修
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-137815
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342851
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】光学的な活性閾値が低い半導体素子を提供する。【解決手段】基板を420°C以上550°C以下に調熱し、前記基板上にガリウム源、インジウム源、ヒ素源およびアンチモン源を供給し、毎秒0.6nm以下の速度で結晶成長させた、ドット構造の均一性、独立性および形成密度が高く、かつ、その純度が高いドット結晶膜を備えた半導体素子とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられたIII-V族化合物半導体膜とを備えた半導体素子であって、 前記III-V族化合物半導体膜は、少なくともガリウム原子、インジウム原子、ヒ素原子およびアンチモン原子を有するドット結晶膜であり、 前記ドット結晶膜の基板と反対側の面には、1以上のドット構造が形成されている ことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01S5/343 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01S5/343 ,  H01L21/205

Fターム (14件)：

5F045AA05 ,  5F045AA15 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045BB09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA56 ,  5F073AA75 ,  5F073CA17 ,  5F073DA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-289496   出願人：日本電信電話株式会社
• 量子ドットの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-045342   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザ装置および半導体レーザアレイおよび半導体レーザ装置の製造方法および送信モジュールおよびローカルエリアネットワークシステムおよび光データリンクシステムおよび光インターコネクションシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334095   出願人：株式会社リコー
• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-124300   出願人：古河電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• III-V族化合物半導体, 19940520, 初版, 第31頁