特許
J-GLOBAL ID：200903010643346282
磁気変換素子および薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-398061
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267659
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 超高密度記録に対応できる抵抗特性を有する磁気変換素子および薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 磁気変換素子であるMR素子110は、交互に積層された複数の磁性層22a〜22gと複数の非磁性層21a〜21gとを含む積層体20を有している。積層体20は、その積層方向に分割された第1の領域20aおよび第2の領域20bを有している。積層体20の第1の領域20aと第2の領域20bとでは、磁性層を構成する材料または組成が異なるようになっており、これにより、大きな抵抗値を得ると共に大きな抵抗変化率を得ることができる。
請求項（抜粋）：
交互に積層された複数の磁性層と複数の非磁性層とを有する積層体を備えた磁気変換素子であって、前記積層体は、積層方向において分割された複数の領域を有しており、この複数の領域のうち少なくとも2つの領域間で磁性層を構成する材料または組成が異なることを特徴とする磁気変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5D034BA03
, 5D034BA08
, 5D034BA15
, 5D034BB08
, 5D034CA06
