特許
J-GLOBAL ID：200903010655505076
表面処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181744
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124920
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 低エネルギで且つ高フラックスの中性ビームにより高異方性のエッチング等の一様な表面処理を可能とする。【構成】 プラズマPを発生させるプラズマ室10と、該プラズマ室10で発生したプラズマPからイオン引出電極12で引出されたイオンビームを中性ビームに変換する中性化室14と、該中性化室14で生成した中性ビームを導入し、該中性ビームで被処理基板Sをエッチングする処理室16とを備え、上記中性化室14の内側周囲に離在された2つの第1電極28と、その中間に位置する第2電極30とからなる静電場レンズを配設した。
請求項（抜粋）：
プラズマから引出したイオンビームを中性ビームに変換し、該中性ビームにより被処理体の表面を処理する表面処理装置において、イオンビームを中性ビームに変換する空間に、静電場レンズ及び静磁場レンズの少なくとも一方を、1又は2以上配設したことを特徴とする表面処理装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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