特許
J-GLOBAL ID：200903010666267665

半導体装置及びその製造方法

発明者：
中村 彰男

中村 彰男 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043156
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242369
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 熱膨張によるリードフレームの自動認識ができない不良、熱収縮差による半導体装置の反り、熱ストレスによるダイパッド等の外部露出不良及び樹脂内部のクラック発生、さらには熱によるリードフレームの変形を防止することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、半導体装置のリードフレーム11のダイパッドコーナー12aに、V字形のスリット14を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスを搭載するダイパッド部を有するリードフレーム構造を備えた半導体装置において、前記ダイパッド部に、スリット穴を設けたことを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 23/50 U ,  H01L 23/50 B ,  H01L 23/50 S
引用特許：
審査官引用 (2件)

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