特許

J-GLOBAL ID：200903010670183131

高周波回路

発明者： 佐川 守一 ,  高橋 和晃 ,  竹本 誠 ,  伊藤 順治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012478
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221554
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 各種無線通信機器等に使用される高周波回路に関するもので、小形、軽量で、特性変動が少なく再現性の高い安価な高周波回路を提供する。【構成】 GaAsデュアルゲ-トFETを基本能動素子としたRFICベアチップ19をフリップチップ実装し、その近傍に入出力整合回路16、17、容量素子C11〜C13、インダクタ素子L11、L12などの受動素子を薄膜あるいは厚膜プロセスで形成するとともに、誘電体基板の端面に入出力端子11〜13、電源端子14、接地端子15を設けることで、価格の大半を占めるRFICの小形化、歩留まりの向上が図れ、高周波回路の低価格化が実現できるとともに小形、軽量で良好な高周波特性を有し、特性変動が少なく安定した高周波回路を実現することができる。

請求項（抜粋）：

金属膜層を有する誘電体基板と、前記誘電体基板表面の金属パタ-ン面上にフリップチップ実装した半導体能動素子を基本素子とする少なくても1つ以上の高周波集積回路チップと、前記誘電体基板上に形成した受動素子と、前記誘電体基板の端面に形成した信号の入出力、電源、接地端子とを具備し、前記誘電体基板には少なくても1層以上の接地用金属層ならびに受動素子層を形成した高周波回路。

IPC (2件)：

H03D 7/12 ,  H01L 21/60 321

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 配線用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-293577   出願人：ソニー株式会社
• ベアチツプ実装基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-278142   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-261205