特許

J-GLOBAL ID：200903010775487217

半導体レーザ装置

発明者： 坂本 順信
出願人/特許権者： リコープリンティングシステムズ株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336207
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147592
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】半導体レーザ素子から発生した熱を効率よく放熱する、小型化、高出力化、多素子化に対応した半導体レーザ装置の提供。【解決手段】半導体レーザ素子10と、半導体レーザ素子10を保持するヒートシンク12と、該ヒートシンク12を支持するステム14と、該ステム14後方に設けられ半導体レーザ素子10を駆動するレーザ駆動基板100と、該レーザ駆動基板100のさらに後方に配置され半導体レーザ素子10から発生する熱を放散する放熱部材200とを備えた半導体レーザ装置であって、前記ヒートシンク12は、ステム14を貫通しており、レーザ駆動基板100に設けた貫通孔を介して放熱部材200と接合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を保持するヒートシンクと、該ヒートシンクを支持するステムと、該ステム後方に設けられ半導体レーザ素子を駆動するレーザ駆動基板と、該レーザ駆動基板のさらに後方に配置され半導体レーザ素子から発生する熱を放散する放熱部材とを備えた半導体レーザ装置であって、 前記ヒートシンクは、ステムを貫通しており、レーザ駆動基板に設けた貫通孔を介して放熱部材と接合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (1件)：

H01S 5/022

FI (1件)：

H01S5/022

Fターム (8件)：

5F173MA01 ,  5F173MA06 ,  5F173MC01 ,  5F173MC12 ,  5F173MD16 ,  5F173MD34 ,  5F173ME12 ,  5F173ME15

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開昭58-164285号公報
  
• 特開平4-24978号公報
  
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-007768   出願人：ソニー株式会社
• 実開平7-27177号公報
  
• 実開昭63-172143号公報
  
• 半導体レーザ素子の放熱方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-083916   出願人：三菱電機株式会社