特許
J-GLOBAL ID：200903010797201708
フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び、半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338659
公開番号（公開出願番号）：特開2000-181064
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高集積半導体素子の微細回路製作の際、KrF(248nm)、ArF(193nm)、E-beam、イオンビーム、或いはEUVの光源を用いた光リソグラフィー工程に適したフォトレジストに用いられるフォトレジスト架橋剤を提供する。【解決手段】 下記式(1)で示される化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤である。(前記式で、R1及びR2は、それぞれ、炭素数1〜10のアルキル、エステル、ケトン、カルボン酸、アセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10のアルキル、エステル、ケトン、カルボン酸、及び、アセタールでなる群から選択されたものであり、R3は水素又はメチルである。)
請求項（抜粋）：
下記式(1)で示される化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤。【化1】(前記式で、R1及びR2は、それぞれ、炭素数1〜10の主鎖、又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖、又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたカルボン酸、及び、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアセタールでなる群から選択されたものであり、R3は水素又はメチルである。)
IPC (7件)：
G03F 7/038 601
, C08F 22/06
, C08F 32/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/033
, H01L 21/027
G03F 7/038 601
, C08F 22/06
, C08F 32/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/033
, H01L 21/30 502 R
