半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-106165
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281231
出願日： 2006年04月07日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】本発明の目的はビルトイン電圧の低減を図り得る半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板20の一方の面にアノードのための電極30と、前記半導体基板の他方の面にカソードのための電極40と、半導体基板の一方の面層に所定の間隔で高濃度の第2導電型のチャネル制御領域23とを備え、該各チャネル制御領域に前記アノード電極が電気的に接続された半導体装置において、前記一方の面層において前記各チャネル制御領域間に低濃度の第1導電型のチャネル領域22と、前記第1導電型のチャネル領域および前記アノード電極間に高濃度の第1導電型のオーミック接触領域24とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の一方の面にアノードのための電極と、前記半導体基板の他方の面にカソードのための電極と、前記半導体基板の一方の面層に所定の間隔で高濃度の第2導電型のチャネル制御領域とを備え、該各チャネル制御領域に前記アノード電極が電気的に接続された半導体装置において、前記一方の面層において前記各チャネル制御領域間に低濃度の第1導電型のチャネル領域と、前記第1導電型のチャネル領域および前記アノード電極間に高濃度の第1導電型のオーミック接触領域と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L29/48 D , H01L29/48 F

Fターム (11件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-525771 出願人：サイスドエレクトロニクスデヴェロプメントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニコマンディートゲゼルシャフト

審査官引用 (9件)

半導体整流装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-083544 出願人：リコー応用電子研究所株式会社, 東北リコー株式会社
特開昭60-074582
特開平3-105975

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