特許

J-GLOBAL ID：200903050621622806

炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法

発明者： フリードリッヒス、ペーター ,  ペータース、デタルト ,  シェルナー、ラインホルト
出願人/特許権者： サイスド エレクトロニクス デヴェロプメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンディートゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-525771
公開番号（公開出願番号）：特表2003-510817
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】ショットキ接合とオーミック接合とを備えた炭化珪素からなる半導体装置において、n形SiCからなる第一の半導体領域(101)と、p形SiCからなる第二の半導体領域(201)とを備え、これらが各々ショットキ接合(110)及びp形のオーミック接合(120)によって電気的に接触している。両接合層はニッケル・アルミニウム材からなる。これによりショットキ接合特性を低下させることなく、両接合層を一緒に化成処理できる。

請求項（抜粋）：

ショットキ接合とp形オーミック接合とを備え、・n形炭化珪素からなる第一の半導体領域(101、102)及びp形炭化珪素 からなる第二の半導体領域(201、202)と、・この第一及び第二の半導体領域に各々電気的に接触するショットキ接合層(1 10)及びp形オーミック接合層(120)を備え、・両接合層(110、120)が、ニッケルを第一の成分とし、アルミニウムを 第二の成分とする少なくとも2つの成分を含んだ接合材からなることを特徴とする炭化珪素からなる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/91 F ,  H01L 29/48 D

Fターム (8件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体整流素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211576   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-085972
  
• 特開平2-045976
  
• 炭化珪素半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-200434   出願人：株式会社日立製作所
• 炭素を含むIV族半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-207634   出願人：株式会社東芝