特許
J-GLOBAL ID:200903010802787724

パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-147328
公開番号(公開出願番号):特開2003-337406
出願日: 2002年05月22日
公開日(公表日): 2003年11月28日
要約:
【要約】【課題】 パターン露光されたレジスト膜に対して、現像、リンス及び超臨界流体中での乾燥を行なうことにより得られるレジストパターンが膨潤しないようにする。【解決手段】 基板10の上に可塑剤を含むレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対してパターン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜に対して、アルカリ性現像液による現像、純水によるリンス、及び純水と有機溶剤14との置換を順次行なって、パターン化されたレジスト膜11Aを形成する。次に、チャンバー15の内部において、パターン化されたレジスト膜11Aに付着している有機溶剤14を超臨界流体17に置換して、パターン化されたレジスト膜11Aを乾燥すると、レジストパターン19が得られる。
請求項(抜粋):
可塑剤を含むレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜に対して、現像、リンス及び超臨界流体中での乾燥を順次行なって、レジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 F
Fターム (17件):
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC05 ,  2H025FA28 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096GA17 ,  2H096GA60 ,  2H096LA30 ,  5F046LA18
引用特許:
審査官引用 (7件)
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