特許
J-GLOBAL ID：200903010803192341
シリコン窒化膜のエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201665
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050660
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電極の側面に、シリコン窒化膜のサイドウォールを確実に形成する。【解決手段】 真空容器11内で、ターゲット電極12と対向電極13とを対向させ、シリコン酸化膜上にゲート電極が形成され、その上をシリコン窒化膜で被覆されてなる被処理体3をターゲット電極12に置く。そして、両電極12,13間に、塩素ガスと臭化水素ガスとヘリウムガスとを含み、弗素系ガスを含まないエッチングガス2を導入しながら、両電極12,13間に高周波電力を投入し、エッチングガス2をプラズマ状態として、生成されたイオンを被処理体3に入射させてエッチングを行う。この際、シリコン窒化膜がシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングされ、ゲート電極の側面にシリコン窒化膜のサイドウォールが形成される。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜が成膜された被処理体を真空容器内に置き、プラズマ発生手段によって反応ガスをプラズマ状態とし、前記被処理体を前記プラズマに晒すことによって、前記シリコン酸化膜に対して前記シリコン窒化膜を選択的にエッチングするシリコン窒化膜のエッチング方法であって、前記反応ガスは、塩素原子を含むガスと、臭素原子を含むガスとからなる(弗素原子を含まない)混合ガスであることを特徴とするシリコン窒化膜のエッチング方法。
引用特許：
前のページに戻る
