特許
J-GLOBAL ID：200903010836056290

高電圧動作用昇圧回路

発明者：
許 英 道

許 英 道 について

, 
玉 承 翰

玉 承 翰 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390607
公開番号（公開出願番号）：特開2003-091991
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】【課題】 ポンピング動作時の過度なブートストラップ電圧により高電圧ポンプ回路のトランジスタが破壊されることを防止する。【解決手段】 電源電圧を昇圧させて高電圧VPPを発生するVPPポンプ部400、高電圧動作信号によりVPPポンプ部から出力された高電圧VPPと基準電圧とを比較検出した信号を発生する第1VPPレベル検出部100、高電圧動作信号によりVPPポンプ部で昇圧された最高電圧を受信し、基準電圧と比較検出した信号を発生する第2VPPレベル検出部110、第1VPPレベル検出部の出力信号と第2VPPレベル検出部の出力信号及び高電圧動作信号とを受信し、VPPポンピング動作を制御する信号を発生するVPPコントロール回路部200、VPPコントロール回路部の出力信号により発振動作をし、VPPポンプ部の動作を制御するための一定周期のパルス信号を発生するリングオシレータ部300を備える。
請求項（抜粋）：
半導体メモリ装置の高電圧動作用昇圧回路において、電源電圧を昇圧させて高電圧VPPを発生するVPPポンプ部と、高電圧動作信号により前記VPPポンプ部から出力された前記高電圧VPPと基準電圧とを比較検出した信号を発生する第1VPPレベル検出部と、前記高電圧動作信号により前記VPPポンプ部で昇圧された最高電圧を受信し、前記基準電圧と比較検出した信号を発生する第2VPPレベル検出部と、前記第1VPPレベル検出部の出力信号と前記第2VPPレベル検出部の出力信号及び前記高電圧動作信号とを受信し、VPPポンピング動作を制御する信号を発生するVPPコントロール回路部と、前記VPPコントロール回路部の出力信号により発振動作をし、前記VPPポンプ部の動作を制御するための一定周期のパルス信号を発生するリングオシレータ部とを備えることを特徴とする高電圧動作用昇圧回路。
IPC (2件)：
G11C 11/407 ,  H02M 3/07
FI (2件)：
H02M 3/07 ,  G11C 11/34 354 F
Fターム (25件)：
5H730AA20 ,  5H730AS04 ,  5H730BB02 ,  5H730BB86 ,  5H730BB88 ,  5H730DD04 ,  5H730FD01 ,  5H730FG01 ,  5H730XX04 ,  5H730XX12 ,  5H730XX26 ,  5H730XX32 ,  5M024AA96 ,  5M024BB29 ,  5M024BB35 ,  5M024BB36 ,  5M024CC24 ,  5M024CC47 ,  5M024FF04 ,  5M024FF12 ,  5M024FF22 ,  5M024HH11 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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