特許

J-GLOBAL ID：200903037925395184

半導体集積回路装置

発明者： 村中 雅也 ,  伊藤 豊 ,  小山田 昌裕 ,  高橋 昌 ,  橋本 剛
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216360
公開番号（公開出願番号）：特開2000-048598
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成により、高性能化を図りつつ効率のよい選別試験を実現した半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 第1及び第2の外部端子から供給された第1電圧と第2電圧とを受け、上記第1電圧とは異なる内部電圧を形成する内部電源回路と、上記内部電圧で動作する内部回路を備えた半導体集積回路装置において、上記内部電源回路に対して通常動作とは異なる電圧に変更できる機能を設ける。

請求項（抜粋）：

第1及び第2の外部端子から供給された第1電圧と第2電圧とを受け、上記第1電圧とは異なる内部電圧を形成する内部電源回路と、上記内部電圧で動作する内部回路を備えた半導体集積回路装置において、上記内部電源回路に対して通常動作とは異なる電圧に変更できる機能を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

G11C 29/00 671 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

G11C 29/00 671 M ,  G11C 11/34 335 A ,  G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 371 A ,  H01L 27/10 681 E

Fターム (31件)：

5B015KA22 ,  5B015KB63 ,  5B015KB64 ,  5B015KB65 ,  5B015KB66 ,  5B015KB73 ,  5B015KB74 ,  5B015QQ13 ,  5B015RR01 ,  5B015RR02 ,  5B015RR07 ,  5B024AA15 ,  5B024BA07 ,  5B024BA27 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07 ,  5B024CA27 ,  5B024EA04 ,  5F083AD00 ,  5F083BS00 ,  5F083HA03 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA08 ,  5F083LA09 ,  5F083LA30 ,  5F083ZA20 ,  5L106AA01 ,  5L106DD11 ,  5L106DD36

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 情報受信装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-342068   出願人：ダイハツ工業株式会社
• 半導体不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-340062   出願人：ソニー株式会社
• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279419   出願人：日本電気株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050714   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-181727   出願人：株式会社日立製作所