特許
J-GLOBAL ID：200903010836939698

スパークプラグ

発明者：
松谷 渉

松谷 渉 について

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瀬川 昌幸

瀬川 昌幸 について

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伊藤 聡子

伊藤 聡子 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084546
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359050
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 貴金属チップにて放電部を形成したスパークプラグであって、細径化された放電部において特に顕著に見られる異常消耗を抑制することができるスパークプラグを提供する。【解決手段】 放電部31を貴金属チップ31’にて形成する。そして、貴金属チップの外径をチップ径D(mm)、放電面31tの外縁から、中心電極3と貴金属チップ31’とを溶接する溶接部Wの対応する端縁までの最短距離を放電部厚さH(mm)、としたとき、D:0.3〜0.8mm、及びH:0.4〜2.0mm、とする。さらに、貴金属チップ31’に、主成分としてのIrと、0.5〜8質量%のNiとを含有させる。
請求項（抜粋）：
中心電極と、その中心電極の先端面に自身の側面が対向するように配置された接地電極とを備え、火花放電ギャップに対応する位置においてそれら中心電極と接地電極との少なくとも一方に、貴金属チップを溶接することにより放電面を有する放電部が形成され、前記貴金属チップの外径をチップ径D(mm)、前記放電面の外縁から、前記中心電極及び/又は接地電極と前記貴金属チップとを溶接する溶接部の対応する端縁までの最短距離を放電部厚さH(mm)、としたとき、D:0.3〜0.8mm、及びH:0.4〜2mm、であるとともに、前記貴金属チップは、主成分としてのIrと、0.5〜8質量%のNiとを含有することを特徴とするスパークプラグ。
IPC (2件)：
H01T 13/20 ,  H01T 13/39
FI (2件)：
H01T 13/20 B ,  H01T 13/39
Fターム (10件)：
5G059AA04 ,  5G059AA08 ,  5G059CC02 ,  5G059DD02 ,  5G059DD11 ,  5G059DD20 ,  5G059DD21 ,  5G059EE02 ,  5G059EE11 ,  5G059EE20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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