特許

J-GLOBAL ID：200903010860730333

電磁的両立性を最適化した電力スイッチ

発明者： ヨーゼフ-マティアス ガンティオラー ,  フランク クロッツ ,  マーティン メルツ ,  ヘルムート ガセル
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-541954
公開番号（公開出願番号）：特表2001-520810
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2001年10月30日
要約：

【要約】回路技術上のコストを低減すると同時に、従来公知技術の場合よりも非対称妨害が明らかに少ない電力スイッチが提供される。本発明によると、リードフレーム(2)上に1つの半導体チップ(3)を有しており、その際、半導体チップ(3)は、少なくとも1つの活性電位用の第1の端子(D,K)と、静止電位用の第2端子(S,A)を有しており、リードフレーム(2)は、前記第2の端子(S,A)に接続されている電力スイッチが提案される。その際、第2の端子は、トランジスタのドレインであるか、又は、ダイオードのアノードである。

請求項（抜粋）：

電力スイッチであって、該電力スイッチは、リードフレーム(2)上に1つの半導体チップ(3)を有しており、その際、前記半導体チップ(3)は、少なくとも1つの活性(aktives)電位用の第1の端子(D,K)と、静止(ruhendes)電位用の第2端子(S,A)を有しており、 その際、前記リードフレーム(2)は、前記第2の端子(S,A)に接続されている 電力スイッチにおいて、 第1の端子(D)は、トランジスタ(6)のドレインであり、第2の端子(S)は、前記トランジスタ(6)のソースである ことを特徴とする電力スイッチ。

FI (2件)：

H01L 23/48 G ,  H01L 23/48 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置に用いるリードフレーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-093734   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置のフレーム構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-312113   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-212469
  
• スイッチング電源回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-203424   出願人：三洋電機株式会社