特許
J-GLOBAL ID:200903010904003582
薄膜トランジスタパネル
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長南 満輝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-054403
公開番号(公開出願番号):特開2006-242987
出願日: 2005年02月28日
公開日(公表日): 2006年09月14日
要約:
【課題】 液晶表示装置(または有機EL表示装置)において、開口率を大きくする。【解決手段】 薄膜トランジスタ5のゲート電極11、ソース電極15およびドレイン電極16はn型不純物を含む透明な金属酸化物によって形成されている。したがって、薄膜トランジスタ5は光を透過する構造となっており、この薄膜トランジスタ5のほぼ全部を画素電極4で覆っているので、薄膜トランジスタ5を含む画素電極4の全域が透過領域となり、開口率を大きくすることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
マトリクス状に設けられた走査ラインとデータラインとで囲まれた領域内に画素用電極が薄膜トランジスタを介して前記走査ラインおよび前記データラインに接続されて設けられた薄膜トランジスタパネルにおいて、前記薄膜トランジスタは光を透過する構造となっており、前記画素用電極は前記薄膜トランジスタのゲート電極の少なくとも一部を覆うように設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
IPC (5件):
G09F 9/30
, G02F 1/136
, H01L 51/50
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (7件):
G09F9/30 338
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
, H01L29/78 617M
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 612D
Fターム (44件):
2H092HA04
, 2H092JA26
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JB05
, 2H092JB06
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB38
, 2H092NA02
, 2H092NA07
, 2H092NA21
, 2H092NA25
, 3K007AB02
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 5C094AA10
, 5C094BA03
, 5C094BA29
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094FB14
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE07
, 5F110EE37
, 5F110EE44
, 5F110FF03
, 5F110GG01
, 5F110GG35
, 5F110HK07
, 5F110HK25
, 5F110HK33
, 5F110HL07
, 5F110HM19
, 5F110NN02
, 5F110NN12
, 5F110NN24
, 5F110NN44
, 5F110NN46
, 5F110NN47
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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特開平2-198429
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アクティブマトリクス型液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-263012
出願人:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
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アクティブマトリクス基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-140531
出願人:シャープ株式会社
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特開昭63-273836
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特開昭63-273836
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薄膜トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-081483
出願人:富士ゼロックス株式会社
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マトリックス表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-062842
出願人:ティーディーケイ株式会社
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半導体装置
公報種別:公表公報
出願番号:特願平9-508258
出願人:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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