特許
J-GLOBAL ID:200903010906834341

ガスバリア性積層材およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金山 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-075073
公開番号(公開出願番号):特開2004-276564
出願日: 2003年03月19日
公開日(公表日): 2004年10月07日
要約:
【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子をはじめとする電子デバイスのパッケージに利用でき、低温成膜可能で、透明性を損ねることなく、かつ緻密で外部からの水分、酸素等の侵入を防ぐことが可能であるガスバリア性積層材を提供することを目的とする。【解決手段】従来、窒化珪素ターゲットを使用し、RFスパッタリング法によって酸化窒化珪素系のガスバリア層を形成すると、成膜時に酸素等を導入しないと茶褐色となる。また酸素導入により透過率は向上するが、ガスバリア性の劣化が起こることは公知の事実として知られている。本現象を解決するために、ガスバリア性の劣化を起こすことなく、透過率向上のため、酸素ガス投入の替わりにN2ガスの導入を行った。その結果ガスバリア性の劣化が起こることなく透過率を向上させることが可能となった。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基材と、当該基材の片面または両面に、スパッタリング法によって形成された窒化酸化珪素ガスバリア層を有するガスバリア性積層材において、該窒化酸化珪素ガスバリア層がスパッタリング法により窒化珪素ターゲットを使用し、窒素ガス雰囲気下で窒化酸化珪素ガスバリア層を形成したものであることを特徴とするガスバリア性積層材。
IPC (4件):
B32B9/00 ,  C08J7/06 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34
FI (5件):
B32B9/00 A ,  C08J7/06 Z ,  C08J7/06 ,  C23C14/06 A ,  C23C14/34 M
Fターム (59件):
4F006AA11 ,  4F006AA22 ,  4F006AA31 ,  4F006AA32 ,  4F006AA34 ,  4F006AA35 ,  4F006AA36 ,  4F006AA38 ,  4F006AA39 ,  4F006AA42 ,  4F006AB76 ,  4F006BA05 ,  4F006CA07 ,  4F006DA01 ,  4F100AA20B ,  4F100AD05B ,  4F100AD05C ,  4F100AD20B ,  4F100AD20C ,  4F100AK02A ,  4F100AK03A ,  4F100AK25A ,  4F100AK42A ,  4F100AK43A ,  4F100AK45A ,  4F100AK49A ,  4F100AK53A ,  4F100AK54A ,  4F100AK55A ,  4F100AK57A ,  4F100AR00D ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100EH66B ,  4F100EH66C ,  4F100EJ24 ,  4F100GB15 ,  4F100JA05A ,  4F100JD02 ,  4F100JD02B ,  4F100JD02C ,  4F100JD03A ,  4F100JD04A ,  4F100JL10D ,  4F100JN01A ,  4F100JN02A ,  4F100JN18B ,  4F100JN18C ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA41 ,  4K029CA05
引用特許:
審査官引用 (5件)
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