スパッタリング成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080918
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275628
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】簡便な制御方法によって、連続プロセスにおいて安定した成膜品質を手軽に実現させることができるスパッタリング成膜方法を提供する。【解決手段】少なくとも金属を含むターゲットを用い、真空槽内に放電ガスと反応ガスとを導入して放電を行い、基材上に薄膜を形成する反応性スパッタリング装置において、スパッタリングの放電電源を定電力出力で制御した上で、放電電圧を一定に保つように制御することを特徴とした反応性スパッタリング成膜方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも金属を含むターゲットを用い、真空槽内に放電ガスと反応ガスとを導入して放電を行い、基材上に薄膜を形成する反応性スパッタリング装置において、スパッタリングの放電電源を定電力出力で制御した上で、放電電圧を一定に保つように制御することを特徴とした反応性スパッタリング成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , B32B 9/00

FI (2件)：

C23C 14/34 U , B32B 9/00 A

Fターム (41件)：

4F100AA17B , 4F100AA19B , 4F100AA20B , 4F100AA21B , 4F100AA25B , 4F100AA28B , 4F100AA33B , 4F100AK01A , 4F100AK55A , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100CC00C , 4F100EH462 , 4F100EH662 , 4F100GB15 , 4F100GB41 , 4F100JA20A , 4F100JA20C , 4F100JD03 , 4F100JG04B , 4F100JL02 , 4F100YY00A , 4F100YY00B , 4F100YY00C , 4K029AA11 , 4K029AA25 , 4K029BA41 , 4K029BA45 , 4K029BA46 , 4K029BA50 , 4K029BC09 , 4K029CA06 , 4K029EA01 , 4K029EA04 , 4K029EA06 , 4K029EA09 , 4K029FA07

引用特許：

審査官引用 (9件)

反応性スパツタリング工程の調整法および調整装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-044613 出願人：ライボルトアクチエンゲゼルシヤフト
特開昭55-161067
特許第2771208号

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