特許
J-GLOBAL ID：200903010916271612

GaN系の半導体発光素子

発明者：
千代 敏明

千代 敏明 について

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柴田 直樹

柴田 直樹 について

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伊藤 潤

伊藤 潤 について

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野杁 静代

野杁 静代 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058128
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261032
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【目的】 工業的に容易に入手可能な原材料を用いた結晶性のよいGaN系の半導体層を有する発光素子を提供する。【構成】 基板の上に金属窒化物層を含む下地層を形成し、その上に連続してGaN系の半導体からなる発光層を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の上に形成された金属窒化物層を含む下地層と、該下地層の上に連続して形成されたGaN系の半導体からなる発光層と、を備えてなるGaN系の半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
FI (4件)：
H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 677
Fターム (50件)：
4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077BE47 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  5F041AA31 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA85 ,  5F041DA07 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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