特許
J-GLOBAL ID：200903055089070419

電子デバイス用基板

発明者：
矢野 義彦

矢野 義彦 について

, 
野口 隆男

野口 隆男 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167686
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260835
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 Si基板上に、半導体膜等の機能膜として、あるいはこのような機能膜の下地としての使用が可能な、ウルツァイト型の結晶構造をもつエピタキシャル膜が存在する電子デバイス用基板を提供する。【解決手段】 Si単結晶基板の表面に、バッファ層を介して表面層を有し、前記バッファ層が、希土類元素の酸化物および/または酸化ジルコニウムを含むR-Zr系酸化物薄膜、A(希土類元素)、MnおよびOを含み、六方晶YMnO3型構造をもつAMnO3系薄膜、AlおよびOを含むAlOx系薄膜、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化タンタルおよび窒化ジルコニウムの1種以上を含むNaCl型窒化物薄膜のいずれかを少なくとも含み、前記表面層が、ウルツァイト型の酸化物および/または窒化物を含む電子デバイス用基板。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面がSi単結晶からなる基板の表面に、バッファ層を介して表面層を有し、前記バッファ層が、酸化物バッファ層および/または窒化物バッファ層から構成されており、前記酸化物バッファ層が、希土類元素(ScおよびYを含む)の酸化物および/または酸化ジルコニウムを主成分とするエピタキシャル膜であるR-Zr系酸化物薄膜を含むか、A[Aは、希土類元素(ScおよびYを含む)である]、MnおよびOを主成分とし、六方晶YMnO3型の結晶構造を有するエピタキシャル膜であるAMnO3系薄膜を含むか、AlおよびOを主成分とするエピタキシャル膜であるAlOx系薄膜を含むか、前記R-Zr系酸化物薄膜と、前記AMnO3系薄膜および/または前記AlOx系薄膜とを含むものであり、前記窒化物バッファ層が、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化タンタルおよび窒化ジルコニウムの少なくとも1種を主成分とするエピタキシャル膜であるNaCl型窒化物薄膜を含むものであり、前記表面層が、ウルツァイト型結晶構造を有する酸化物エピタキシャル膜および/またはウルツァイト型結晶構造を有する窒化物エピタキシャル膜を含むものである電子デバイス用基板。
IPC (4件)：
H01L 21/365 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01L 21/365 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 33/00 C
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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