特許

J-GLOBAL ID：200903010959882755

エッチストップ層の2段階形成方法

発明者： ゴンダル・カマル・キショー ,  熊倉 正志
出願人/特許権者： 日本エー・エス・エム株式会社
代理人 (2件)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-018431
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235637
出願日： 2004年01月27日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】低比誘電率及びCu配線表面との良好な接着性を有する膜を形成する。【解決手段】Cu層が形成されるべき半導体基板上にCu層と接触する膜を形成するための方法は、(i)シリコン、炭素及び水素を含む蒸着ガス及び不活性ガスから成る第1反応ガスを基板が載置されるところの反応空間内に導入する工程と、(ii)第1反応ガスをプラズマへ励起することにより基板上にシリコンカーバイド膜を蒸着する工程と、(iii)シリコン、炭素及び水素を含む蒸着ガス、酸化ガス及び不活性ガスから成る第2反応ガスを反応空間内に導入する工程と、(iv)第2反応ガスをプラズマへ励起することによりシリコンカーバイド膜の頂面に炭素含有シリコン酸化膜を蒸着する工程を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Cu層が形成されるべき半導体基板上にCu層と接触する膜を形成するための方法であって、 シリコン、炭素及び酸素を含む蒸着ガス及び不活性ガスから成る第1反応ガスを基板が載置される反応空間内へ導入する工程と、 第1反応ガスをプラズマへ励起することにより基板上にシリコンカーバイド膜を蒸着する工程と、 シリコン、炭素及び水素を含む蒸着ガス、酸化ガス及び不活性ガスから成る第2反応ガスを反応空間内へ導入する工程と、 第2反応ガスをプラズマへ励起することによりシリコンカーバイド膜の頂面に炭素含有シリコン酸化膜を蒸着する工程と、 から成る方法。

IPC (2件)：

H01L21/768 ,  H01L21/314

FI (3件)：

H01L21/90 K ,  H01L21/314 M ,  H01L21/90 A

Fターム (35件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033WW02 ,  5F033XX14 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD18 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF38 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5,800,878号明細書
  

審査官引用 (3件)

• ダマシン用途の低κシリコンカーバイドバリア層、エッチストップ及び反射防止被膜のインシチュウ堆積
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-572907   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-117680   出願人：松下電器産業株式会社
• 特許第6455417号