特許
J-GLOBAL ID：200903088863100909

ダマシン用途の低κシリコンカーバイドバリア層、エッチストップ及び反射防止被膜のインシチュウ堆積

発明者：
ファン, ジュディ

ファン, ジュディ について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-572907
公開番号（公開出願番号）：特表2002-526916
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2002年08月20日
要約：
【要約】【課題】 プリメタル誘電体(PMD)レベルを含む多重レベルで、バリア層、エッチストップ、及び/又はARCとして有用なSiC材料を提供し、バリア層、エッチストップ、ARCに対して、SiC材料とのインシチュウによりインシチュウ堆積させた誘電体層を提供する。【解決手段】 誘電体層はSiC材料とは異なる前駆体を用いて堆積させ得るが、好ましくは、SiC材料と同一又は類似の前駆体を用いる。本発明は、導電性材料として高拡散性の銅を使用したICに対して特に有用である。本発明はまた、特に表面形状内に充填された銅等の金属表面上に生ずる可能性がある酸化物を減少させるため、アンモニア等の還元剤を含むプラズマを利用することも可能である。本発明はまた、おそらくは他の炭素源及び水素源から独立して、かつ、好ましくは実質的な量の酸素の不存在下で、誘電率が7.0未満のSiCを製造するための、珪素と炭素の供給源としての有機シランの使用を含む処理様式を提供する。
請求項（抜粋）：
基板であって、a)前記基板上に堆積した誘電率が7.0未満のシリコンカーバイドの層と、b)前記シリコンカーバイドとのインシチュウで前記シリコンカーバイドの層上に堆積した第1の誘電体層とを有する基板。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/30 574
Fターム (57件)：
2H025AA20 ,  2H025AB16 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA37 ,  4K030BB12 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030LA15 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033SS03 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033WW09 ,  5F033XX24 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AC08 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF10 ,  5F045DA64 ,  5F045DC62 ,  5F045DC63 ,  5F046PA11
引用特許：
審査官引用 (8件)
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