エッチング方法、半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-117680
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210627
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】有機無機ハイブリッド膜に対するエッチングレートを向上させる。【解決手段】 SiCxHyOz (x>0、y≧0、z>0)で表される有機無機ハイブリッド膜104を、フッ素、炭素及び窒素を含むエッチングガスを用いてプラズマエッチングする。エッチングガスに含まれる窒素により、有機無機ハイブリッド膜104の表面部から炭素成分が脱離して、該表面部は改質される。改質した表面部はフッ素及び炭素を含むエッチングガスにより良好にプラズマエッチングされる。

請求項（抜粋）：

SiCxHyOz (x>0、y≧0、z>0)で表される有機無機ハイブリッド膜をプラズマエッチングするエッチング方法であって、前記有機無機ハイブリッド膜に対して、該有機無機ハイブリッド膜の表面部から炭素成分を脱離させながらプラズマエッチングを行なうことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/312 A , H01L 21/312 M , H01L 21/302 L , H01L 21/90 A , H01L 21/90 J , H01L 21/90 S

Fターム (67件)：

5F004AA03 , 5F004AA11 , 5F004CA01 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DA28 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004EA23 , 5F004EA28 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM13 , 5F033NN31 , 5F033NN32 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR00 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX09 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD09 , 5F058AF02 , 5F058AG04 , 5F058AG10 , 5F058BC08 , 5F058BD09 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF37 , 5F058BH12 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-278232 出願人：シャープ株式会社
積層絶縁膜のプラズマエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-122682 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-184806 出願人：ソニー株式会社

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