特許
J-GLOBAL ID：200903010972371417

ウェーハの研磨方法

発明者：
坂本 多可雄

坂本 多可雄 について


出願人/特許権者：
東芝セラミックス株式会社

東芝セラミックス株式会社 について


代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069082
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257184
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】ウェーハの外周部の過剰な研磨(外周ダレ)を防止でき、高平坦度の研磨が可能なウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】ウェーハ1の裏面3に保護膜4を形成する成膜工程と、保護膜4の外周部4pをエッチングにより除去し、この除去により露出する裏面外周部3pと残存する保護膜4mとの段差面lgを形成する第1のエッチング工程と、ウェーハ1の表面2のみをメカノケミカル研磨する片面研磨工程と、残存する保護膜4mをエッチングにより除去する第2のエッチング工程とを有するウェーハの研磨方法。
請求項（抜粋）：
ウェーハの裏面に保護膜を形成する成膜工程と、前記保護膜の外周部をエッチングにより除去し、この除去により露出する裏面外周部と残存する保護膜との段差面を形成する第1のエッチング工程と、ウェーハの表面のみをメカノケミカル研磨する片面研磨工程と、前記残存する保護膜をエッチングにより除去する第2のエッチング工程とを有することを特徴とするウェーハの研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/306 M
Fターム (4件)：
5F043DD01 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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